삼성전자, 엔비디아 추론칩 생산 계약 체결…반도체 협력 확대

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 연례 개발자회의 'GTC 2026'의 기조연설에서 삼성전자를 명시적으로 언급하며 감사를 표했다. 황 CEO는 "삼성이 우리를 위해 그록 3 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있으며, 그들은 최선을 다하고 있다"고 밝혔다. 이 발언을 통해 삼성전자의 파운드리 사업부가 엔비디아의 새로운 추론 칩 생산을 담당하고 있다는 사실이 공식 확인됐으며, 양사 간의 긴밀한 협력 관계가 부각됐다.

그록 3 LPU는 엔비디아의 루빈 그래픽처리장치(GPU)와 역할을 분담하여 추론 성능과 에너지 효율성을 극대화하는 칩으로 설계됐다. 엔비디아는 올해 하반기 출시할 베라 루빈 플랫폼에 이 추론 칩을 탑재하여 AI 성능을 한 단계 끌어올린다는 계획이다. 그록 3 LPU의 출하 시기는 올해 3분기로 예정돼 있으며, 이는 엔비디아가 지난해 말 200억 달러(약 30조 원)에 추론 칩 개발사 그록을 인수한 이후 내놓는 첫 제품이다. 구글, 아마존 등 경쟁사들이 추론에 특화된 자체 AI 칩을 개발하고 있는 상황에서 엔비디아의 추론용 칩은 시장에서 중요한 반전 카드가 될 수 있을 것으로 예상된다.

삼성전자는 이번 GTC 행사에서 메모리 부문의 최신 기술도 함께 선보였다. 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 'HBM4E'의 실물 칩과 적층용 칩인 코어 다이 웨이퍼를 처음으로 일반에 공개했으며, 엔비디아와의 협력을 적극적으로 홍보했다. HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트)의 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트)의 대역폭을 지원할 예정이며, 올 하반기 샘플 출하를 목표로 개발 중이다. 이는 지난달 양산 출하를 시작한 최신작 6세대 HBM4의 13Gbps 전송속도와 3.3TB/s 대역폭을 크게 상회하는 수치로, 삼성전자의 메모리 기술 경쟁력이 계속 강화되고 있음을 보여준다.

삼성전자는 HBM4의 양산을 통해 축적한 10나노급 6세대 D램 공정 기반 기술과 파운드리 부문의 4나노미터 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발을 가속하고 있다. 회사는 메모리, 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술 등 모든 부문의 역량을 결집하여 최적화된 협업을 진행 중이라고 설명했다. 특히 이번 전시에서는 'HBM4 히어로 월'을 통해 이러한 경쟁력이 종합반도체기업(IDM)만의 강점임을 강조했으며, 엔비디아와의 협력 관계를 대내외에 과시했다. 엔비디아의 차세대 GPU 루빈에 탑재되는 HBM4, CPU 베라용 저전력 메모리 모듈, 기업용 SSD 등을 통해 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리를 공급할 수 있다는 점을 강조한 것이다.

삼성전자가 HBM4 양산 직후부터 HBM4E를 공개한 것은 SK하이닉스, 마이크론 등 경쟁사와의 격차를 명확히 드러내기 위한 전략으로 풀이된다. 엔비디아의 AI 칩 플랫폼이 전 세계 데이터센터에서 급속도로 확산되는 가운데, 삼성전자는 고성능 메모리와 파운드리 양쪽 모두에서 엔비디아의 신뢰할 수 있는 공급업체로 입지를 강화하고 있다. 이는 고대역폭메모리와 추론 칩 생산이라는 두 가지 핵심 부품 공급을 통해 AI 인프라 시장에서 삼성전자의 영향력을 크게 높일 것으로 예상된다. 앞으로 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 개발에 삼성전자가 얼마나 깊이 관여하는지가 양사의 전략적 협력 수준을 가늠하는 중요한 지표가 될 것으로 보인다.