삼성전자, 역대 최대 85조원 설비투자…메모리 반도체 공급 부족 대응

삼성전자가 2028년까지 이어질 메모리 반도체 공급 부족에 대응하기 위해 올해 85조원 규모의 역대 최대 설비투자에 나선다. 이는 2024년의 54조원을 크게 웃도는 수치로, 연구개발(R&D) 비용을 포함하면 올해 총 투자액이 최대 140조원에 달할 전망이다. 삼성전자는 29일 3분기 실적 발표에서 올해 시설투자가 84조4000억원 수준이 될 것이라고 공시했으며, 부문별로는 반도체 메모리 사업을 담당하는 DS부문이 76조8000억원, 디스플레이 부문이 3조9000억원 규모로 투자할 계획이다.

삼성전자의 공격적인 설비투자는 인공지능(AI) 수요 급증으로 촉발된 메모리 반도체 공급 부족 현상에 대한 전략적 대응이다. 특히 고대역폭메모리(HBM) 수요가 폭발적으로 증가하면서 삼성전자는 생산 확대에 적극 나서고 있다. 김재준 삼성전자 메모리 전략 마케팅 실장(부사장)은 3분기 HBM4 매출이 전 분기 대비 3배 이상 증가했다며, 2027년 HBM 공급물량은 이미 완판됐고 추가 공급 요청이 지속적으로 들어오고 있다고 밝혔다. 삼성전자는 HBM 시장에서의 점유율을 D램 수준(2분기 기준 38%)으로 끌어올린다는 연간 목표를 이미 3분기에 달성했을 정도로 시장 수요가 매우 강세를 보이고 있다.

평택과 미국 텍사스 지역이 삼성전자의 주요 설비투자 거점이다. 평택에 건설 중인 첨단 메모리 공장인 P5(평택 5공장)의 가동 시기를 기존 2030년에서 2028년으로 2년 앞당기기로 결정했다. 이는 메모리 공급 부족이 예상보다 심각하며, 시장 수요에 빠르게 대응해야 한다는 판단에 따른 것이다. 또한 P5의 두 번째 팹 건설 계획도 앞당겨 추진 중이다. 한편 미국 텍사스의 테일러 팹은 AI 칩 제조를 위한 파운드리 사업을 담당하고 있으며, 첫 클린룸 가동과 설비 반입이 이미 시작됐다. 삼성전자는 테일러 팹의 추가 팹 건설 등 설비 확대 방안도 적극 검토하고 있는 것으로 알려졌다.

삼성전자의 R&D 투자도 급증하고 있다. 3분기 R&D 비용은 전년 동기 대비 63% 증가한 14조원을 기록했으며, 상반기 R&D 비용 27조3627억원과 합치면 1~3분기 누적 R&D 비용이 약 41조7600억원으로 지난해 전체 R&D 비용 37조7000억원을 이미 돌파했다. 이같은 R&D 투자는 HBM4E 등 차세대 제품 개발과 보강에 집중되고 있다. 차세대 메모리 기술 개발을 통해 AI 시장의 지속적인 수요 증가에 선제적으로 대응하려는 전략으로 해석된다.

3분기 실적에서 삼성전자의 메모리 반도체 사업 호황이 명확히 드러났다. 삼성전자는 연결 기준으로 3분기 매출 195조3000억원, 영업이익 107조4000억원을 기록했다. 이 중 DS부문(반도체 메모리)이 매출 147조1000억원, 영업이익 106조5000억원을 기록하며 실적의 대부분을 책임졌다. AI 수요 증가에 따른 HBM4 판매 증가와 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요 증가가 주요 성장 요인이다. 연간 기준으로 삼성전자는 올해 전 세계에서 가장 많은 영업이익을 올릴 것으로 예상되고 있다.

다만 위험 요소도 존재한다. TV, 가전, 스마트폰 등을 담당하는 DX부문은 메모리 가격 급등의 영향으로 3분기 매출 52조1000억원에 영업손실 8000억원을 기록했다. 이는 지난 분기에 이어 2분기 연속 8000억원대 영업손실을 기록한 것으로, 메모리 원가 부담이 DX부문의 수익성을 심각하게 압박하고 있음을 보여준다. 삼성전자는 이러한 단기적 어려움에도 불구하고 장기적 메모리 공급 부족에 대비한 과감한 투자를 단행함으로써 향후 시장 주도권 확보에 베팅하고 있다. 한편 삼성전자는 2026년 3분기 현금배당으로 주당 보통주 4601원, 우선주 4601원 등 총 30조원을 배당할 계획을 발표했다.